GaN自支撑衬底项目（一期工程）公示
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项目详情
*、项目名称：GaN自支撑衬底项目（一期工程）
*、项目建设单位：**方唯成半导体材料有限责任公司
*、项目建设内容、地址和规模：
**方唯成半导体材料有限责任公司氮化镓自支撑衬底（一期工程），拟建设于********路三溪科创城发展中心三溪智造港*号永田路***号*栋*楼（项目中心位置：N**°**′**.***″，E***°**′**.***″），公司主要生产半导体材料衬底，开发和研究电子专用材料，规划产能为年产****片毛片衬底，本次项目申报内容属于整体项目的试验阶段，主要通过试验测试，确保能够成功生产*.*吋氮化镓自支撑衬底后，再进行整体量产，实验测试氮化镓衬底数量为*片。项目总投资****万元，其中环保投资**万元；项目用地面积****.*平方米，建筑面积****.*平方米。
二、建设单位名称
建设单位：**方唯成半导体材料有限责任公司
联系人：王工
三、环境影响评价机构名称
评价单位：***凌越环保工程有限公司
联系人：戴工
四、环境影响评价工作程序
工作程序：接受建设项目委托——签订项目环评合同——现场踏勘——建设方提供项目相关资料——环境现状调查——进行资料的分析研究——编制环评报告表——报告表审批。
五、公众意见反馈方式
本次信息公示后，公众可通过电话、电子邮件等方式发表关于项目开发建设及环评公众的意见看法。
全本公示稿链接：https://pan.baidu.com/s/*MfVmJ*YCQBzQaA**g*WhEA
提取码：skq*
**方唯成半导体材料有限责任公司
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