深圳技术大学化合物激光隐形切割机和裂片机意向公开
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公告摘要
各有关单位请尽快与采购业主相关联系人联系，及时参与投标等相关工作，以免错失商业机会。
部分信息内容如下：（查看详细信息请登录）
一、化合物激光隐形切割机，配置参数包括：
*.可切割工件对应材质：GaAs，InP，GaN；
*.可切割晶圆尺寸：*inch向下兼容；
*.可切割晶圆厚度范围*Oum~***um；
*.激光聚焦至晶圆内部后的光斑横向宽度≤*um；
*.划片道宽度／厚度**um/***um和**um/***um的晶圆，激光能够正常入射到底部并形成稳定改制层；
*.实际切割效果要求（*inch GaAs，片厚***um，Die Size：*mm**mm，划片道**um，切割*片，统计整体良率）：分断率≥**%；背金脱落或撕扯率≤*.*%；允许斜裂范围≤士*um；边缘烧蚀距离≤**um；总体解理良率≥**%
*.配备动态焦点补偿系统，能根据工作台平整度、贴布厚度、晶圆厚度等不同影响进行激光焦点实时补偿；高度补偿范围不小于±**um
*.配备自动识别系统，配备至少*个红外相机（高低倍各一个），可事先针对不同晶圆进行编程，从晶圆表面进行自动识别
二、裂片机，配置参数包括：
*.可实现化合物激光隐形切割机切割后晶圆的裂片
*.工件对应材质兼容GaAs，InP，GaN；可裂片晶圆尺寸：*inch向下兼容
*.可裂片晶圆厚度范围**um~***um，最小可裂片晶粒尺寸≤*.*mm**.*mm（晶圆满足厚度＜晶粒尺寸**.*）联系人:董颖慧联系电话:****-********预计采购时间:****-**备注:无本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准
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