化合物半导体微纳结构工艺加工(清采比选20240170号)采购公告
发布日期:2024年05月11日 | 标签:
159756246
gonggao
;北京市
2024.05.11
2024.05.14
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招标编号 |
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公告摘要
***********招标公司受业主*******委托,于2024年05月11日在招标网发布化合物半导体微纳结构工艺加工(清采比选20240170号)采购公告。
各有关单位请于2024.05.14前与公告中联系人联系,及时参与投标等相关工作,以免错失商业机会。
部分信息内容如下:(查看详细信息请登录)
采购项目名称 化合物半导体微纳结构工艺加工 采购项目编号 ************* 公告开始时间 ****-**-** **:**:** 公告截止时间 ****-**-** **:**:** 对外联系人 本项目不接受咨询 咨询通道已关闭 联系电话 本项目不接受咨询 咨询通道已关闭 签约时间要求 成交后*个工作日内 (如不按时签订合同,采购单位有权取消或变更采购结果) 交货时间要求 签订合同后**个工作日内 采购单位 **** 最高限价 ¥***,***.** 未公布 国内合同付款方式 合同签订后**%,到货后**%,验收合格后**% 交货地址 ******* 供应商特殊资质要求
无
采购清单* 物资名称 采购数量 计量单位 化合物半导体微纳结构工艺加工 * 件 品牌 品牌* 型号 品牌* 型号 品牌* 型号 单价 ¥***,***.** 技术参数及配置要求 *、在直径*英寸外延片整片上进行周期性微纳结构加工,单个微纳结构阵列规模***×***,周期** μm。每个周期结构中包含*×*个微结构,微结构周期*.* μm,边长*.** μm,深度*** nm。在每个阵列上进行台面刻蚀,台面边长** μm,刻蚀深度*.**~*.* μm
*、具备光刻板设计和加工能力,根据用户需求进行板图设计与加工
*、半导体材料刻蚀深度偏差小于** nm,均匀性小于*%
*、阵列方块边长控制精度±*.** μm
*、制备厚度*** nm SiO*钝化膜,折射率在*.**~*.***之间,厚度均匀性小于*%
*、欧姆金属AuGe /Ni/Au ( ***/**/*** nm),一次性成膜,厚度均匀性小于*%
*、反射层金属溅射 Ti/Au (** nm/*** nm),一次性成膜,厚度均匀性小于*%
*、外圈环状电极>** μm (***~*** μm),外圈电极需保证边缘完整无缺陷,与周期性微纳结构电极共平面,且需与下接触层欧姆金属实现互联
*、单个微结构阵列器件整体区域比橙色区域两边各多出***~*** μm 质保期 **个月
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****-**-** **:**:**
报价地址:http://sbgysfw.sysc.tsinghua.edu.cn/login.html