招标编号: | CC105902022000350 |
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加入日期: | 2022.05.19 |
截止日期: | 2022.05.27 |
招标业主: | 深圳大学 |
地 区: | 广东省 |
内 容: | 基本信息: 发布时间:****-**-** **:**:** 截止时间:****-**-** **:**:** 申购单号:***************** 申购主题:互联衬底结构晶圆 采购单位:**** 报价要求:国产含税 发票类型:增值税专用发票 币种:人民币 预算: 付款方式:货到验收合格后付 |
基本信息:
发布时间:2022-05-19 17:45:45
截止时间:2022-05-27 12:00:00
申购单号:CC105902022000350
申购主题:互联衬底结构晶圆
采购单位:深圳大学
报价要求:国产含税
发票类型:增值税专用发票
币种:人民币
预算:
付款方式:货到验收合格后付款
备注说明:
签约时间:发布竞价结果后7天内签约合同
送货时间:发布竞价结果后90天内送达
安装要求:免费上门安装(含材料费)
收货地址:***
申购明细:
采购内容 | 数量 | 单位 | 预算单价 | 品牌 | 型号 | 规格参数 | 质保及售后服务 |
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互联衬底结构晶圆 | 4 | 片 | 定制 | 1、晶圆直径为12英寸,包含定制的特殊存储器件单元的衬底结构; 2、晶圆上每个器件单元衬底相互独立,且纵向结构自下而上依次为晶圆硅衬底、约50 nm的TiN层、约250 nm的Al层、约50 nm的TiN层、定制电极层; 3、定制电极层平面结构包含2个公共电极及若干独立电极,电极外区域为SiO2材料。公共电极由多个间距约18 μm的独立电极组成,独立电极分布于除公共电极外的其余区域,间距约70 μm; 4、独立电极为直接90-100 nm的TiN圆柱体,其高度为90 nm,与定制电极层下的导电层互联; 5、导电层从下往上分别为TiN层、Al层、TiN层,导电层位于衬底上,衬底与导电层之间是氧化硅绝缘介质层。 6、晶圆加工采用65 nm制程或同级别工艺,以满足图形结构最小线宽。 | 按行业标准提供服务 |
报价地址:***