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自支撑氮化镓晶片竞价公告-CB106982021000022

信息发布日期：2021.01.05 标签：陕西省招标

招标编号：	CB106982021000022
加入日期：	2021.01.05
招标业主：	西安交通大学
地区：	陕西省
内容：	基本信息：申购单号：*************** 申购主题：自支撑氮化镓晶片采购单位：**** 报价要求：国产含税发票类型：增值税普通发票币种：人民币预算：付款方式：.货到安装、调试、验收合格后，付全款。备注说明：签约时间：发布竞价结果后天内签约合同送货时间：发布竞价

招标公告正文

基本信息：

申购单号：CB106982021000022

申购主题：自支撑氮化镓晶片

采购单位：西安交通大学

报价要求：国产含税

发票类型：增值税普通发票

币种：人民币

预算：

付款方式：1.货到安装、调试、验收合格后，付全款。

备注说明：

签约时间：发布竞价结果后7天内签约合同

送货时间：发布竞价结果后7天内送达

安装要求：免费上门安装（含材料费）

收货地址：***

申购明细：

采购内容	数量	单位	预算单价	品牌	型号	规格参数	质保及售后服务
自支撑氮化镓晶片	65	片		自支撑氮化镓晶片	GAN-FS-C-U-S10	性能参数产品型号Item：GAN-FS-C-U-S10 尺寸Dimensions ：10x10.5mm ² 厚度Thickness: 350土25μm 晶体取向Orientation：C- plane(0001) off angle toward M-Axis 0.35°±0.15° TTV(Total Thickness Variation):≤10μm 弯曲度BOW：≤10μm 导电类型Conduction Type:N-type 电阻率Resistivity(300K):＜0.1Ω cm 位错密度Dislocation Density: From 1x105 cm-2 to 3x106 cm-2 有效面积 Useable Surface Area：>90% 抛光Polishing: Front Surface:Ra<0.2nm(polished):Or<0.3nm (polished and surface treatment for epitaxy) Back surface:0.5~1.5μm；Option:1~3nm（fine ground）;<0.2nm(polished) 包装Package: Packaged in a class 100clean room environment, in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere. Ga Face: （1-100）10.5mm；10mm	验收标准：依据产品技术标准验收。

报价地址：***

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