加入日期: | 2015.12.31 |
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招标业主: | 深圳大学 |
地 区: | 深圳市 |
项目名称 |
等离子增强原子层沉积仪 | 是否预选项目 |
否 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
采购人名称 |
深圳大学 | 采购方式 |
公开招标 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
财政预算限额(元) |
2325000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
项目背景 |
等离子增强原子层沉积仪项目是深圳市财政委员会批复的高端人才科研启动费项目。
设备主要用途是:等离子增强原子层沉积仪是通过交替的表面饱和反应进行自限制生长超薄薄膜,它通过控制反应周期数精确地控制薄膜的厚度,以获得均匀一致的膜层厚度;具有完美的三维保形性,可在任意曲面,如平面、复杂三维、多孔基板和粉末上沉积高纯度薄膜,此设备是我单位研究电子器件的光学薄膜制备不可或缺的的技术,满足薄膜制备工艺很高的电学性能要求。所以等离子增强原子层沉积系统对实验室开展研究工作有重要作用。 该设备项目预算为232.5万元人民币。 |
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投标人资质要求 |
1)投标人”系指响应采购文件要求、参加本次招标采购的供应商。 (1) 投标人必须是来自中华人民共和国或是与中华人民共和国有正常贸易往来的国家或地区(以下简称“合格来源国/地区”)的法人或其他组织,在法律上和财务上独立、合法运作并独立于招标人和招标机构,具有相关经营范围,有资格和能力提供本采购项目的货物及服务的制造商或代理商(或经销商)。须提供营业执照或企业注册证明复印件(经营范围必须涵盖本次招标货物,加盖公章)。深圳大学是科教仪器设备减免税单位,如果是境外供货,投标人应有境外供货与外币结算资格或者是取得了境外供货贸易商的投标授权。若投标人按照合同提供的货物不是投标人自己制造的,投标人应得到货物制造商同意其在本次投标中提供该货物的正式授权书原件或是合法代理商(若投标人为合法代理商应出具有效代理证明扫描件,制造商除外)。(2)证明投标人已具备履行合同所需的财务、技术和生产能力的文件。(3)投标人须提供设备在国内的销售业绩表、合同复印件或中标通知书复印件(表中应列出设备的出厂日期、用户名称、地址、联系人及联系方式***
2)参与政府采购项目投标的供应商近三年内无行贿犯罪记录(由采购中心定期向市人民检察院申请对政府采购供应商库中注册有效的供应商进行集中查询,投标文件中无需提供证明材料); |
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具体技术要求 |
1.采购货物配置功能要求,各设备的主要技术参数、性能规格
1 工作条件及总体要求:
1.1 需求招标的原子层沉积仪应包括:真空系统(真空腔、抽气系统)、反应腔、等离子体辅助沉积系统、预真空传片系统、生长源及其输运系统、臭氧发生系统、压力和温度测量与控制系统、载体气体控制装置等。
1.2 ★反应腔适用于处理最大尺寸为200mm的单片硅平面衬底,兼容处理尺寸范围内的其它平板、三维及碎片物体。可用于平板、多孔、深沟槽以及粉末样品的薄膜沉积工艺,且无需更换反应腔;
1.3 适应于标准的实验室环境条件,对实验室环境条件无特殊要求和限制。
1.4 适于供电电源380 – 400VAC(±10%),50Hz, 三相五线制。
2 腔体技术要求:
2.1 ★设备为双腔体结构,反应腔体独立安装在真空腔体内,各自配置密封盖,沉积过程需能够保证真空腔体压力大于反应腔体,确保反应腔体内的化学物质不会泄露到真空腔体中;
2.2 可同时加热衬底与反应腔体壁,最高加热温度500℃,配置温度传感器同时监测反应腔体及衬底温度,通过软件设定并控制加热的温度范围和浮动精度,反应腔体内温度应均匀一致,温度控制精度满足±1℃以内;
2.3 ★设备无需水冷,且设备加热至最高500℃时外壁保持温度低于60摄氏度,以确保人体接触安全;
2.4 ★反应腔体及真空腔体的密封盖由气动机械自动开关,避免腔体内气压过高的潜在危险,和避免密封盖过热对人体造成烫伤,开关操作通过软件实现。
3 等离子体源系统:
3.1 满足等离子增强原子层沉积(PEALD)工艺要求,能提供有效措施减小对膜层结构破坏;
3.2 ★采用电感耦合远程等离子体源。等离子体发生器功率在100-3000W范围可调,频率在1.7-3MHz范围内可调。等离子体发生器与基底必须保持足够距离(>500mm)以减少离子轰击对基片造成的破坏效应;
3.3 ★为保证操作的灵活性,无需装卸等离子体发生器及相应的气体管路就可以直接使用等离子体。软件自动控制系统进入或离开等离子体ALD的工作模式;
3.4 不少于2路独立的等离子体工艺气体管路(不包括载气管路),包括独立的阀门和质量流量计;
4 预真空传片系统:
4.1 配置Load-Lock预真空传片系统,该系统需要满足最大直径为200mm及其以下尺寸基底的传片要求。Load-Lock腔需配置观察视窗、压力传感器、惰性气体供给管路,配置门阀、操纵杆以及气动基底提升系统。
5 前驱体源管路的技术要求:
5.1 ★设备配置至少6条完全独立的前驱体源管路,分别对应反应腔体上完全独立的6个前驱体源入口,不能有任何共用管路。
5.2 前驱体源系统包括:液态源系统、加热源系统、气体源系统。对应的脉冲阀与三通阀为通过电脑控制的非惰性气体气动的阀门。应能保证:如果设备没有启动,前驱体源系统的各阀门都应处于关闭状态;
5.3 每条管路须配置独立的市场认可的进口知名厂家生产的质量流量计(MFC)、压强传感器、高质量的脉冲阀,液态源与加热源分别配置独立的温度传感器;
5.4 常温液态源系统包含液态源瓶、管道与脉冲阀门,适用于高蒸气压的液态前驱体。容积不小于130ml,配置手动隔离阀。
5.5 ★每个常温液态料源装置均须配制Peltier温度控制系统,以调节和稳定液态源温度。为防止极端条件下源泄漏造成的危险,不可采用循环水浴。
5.6 加热源系统包含源瓶,适用于脉冲蒸气压较低的固态与液态前驱体,通入氮气等载气导出前驱体至反应腔,配备温控管路、脉冲阀门与热绝缘器;
5.7 ★加热源料瓶容积不小于50 ml,加热温度不低于200℃。料瓶无需复杂的清洗、组装步骤,采用工业标准化的VCR真空密封接头。
5.8 在更换料瓶前后,管路及其与之相联接的管路和阀门系统须具有在线净化功能,以方便料源的更换。
5.9 气体源系统,包含质量流量计、管路、计算机控制的三通气压阀门
5.10 质量流量计(MFC)的测量范围满足0-2000 sccm,流速可预设;
5.11 压强传感器的测量范围满足0-1050mbar;
6 真空泵技术要求:
6.1 提供一套进口的知名厂家生产的真空油
6.2 泵速不小于170 m3/h。
6.3 泄漏率:小于10-8 mbar.l/s;
6.4 配备油雾消除器。
7 臭氧发生器技术要求
7.1 产量:不小于20g /h;
7.2 浓度:不小于150mg/L;
7.3 含臭氧毁灭器、洁净连接管路及安装配件,配备VCR接口;
8 操作软件系统的技术要求
8.1 操作界面友好,无需使用编程语言,具备程序储存、读取功能,能够输出实验数据,显示24个小时内设备系统各部分参数的时间趋势图,包括各部分质量流量、温度、压强的时间趋势图,用于监测设备稳定性;
8.2 沉积过程中监测显示每个源管路的脉冲压强,显示脉冲压强与时间关系图,用于监测脉冲稳定性;
8.3 为确保操作人员与设备安全,设备操作系统必须具有以下联动保护功能:
a) 压强与真空泵:当超出设定的压强范围时,真空泵自动开启,否则为关闭状态;
b) 压强与脉冲:当反应腔体压强超出设定值时,前驱体的脉冲自动停止;
c) 压强与加热:当反应腔体压强超出设定值时,设备各部分加热自动停止;
d) 压强与腔体密封盖的开启:当反应腔体压强超出设定值时,软件系统操作与用户手动都无法打开腔体密封盖,直到腔体压强达到安全范围;
e) 加热与脉冲:如果设备任一部分加热温度没有达到设定值,则前驱体脉冲自动停止;
f) 加热稳定时间与脉冲:当加热稳定时间没有达到设定值,则前驱体脉冲自动停止;
9 主机、附件详细清单
投标商所提供的系统需包括以下部件:
1) 1套真空腔体;
2) 1套反应腔体,配置完全独立的至6个前驱体源入口;
3) 1套完全独立的至少6路前驱体源管路连接反应腔体,配置相应的阀路系统;
4) 1套等离子体辅助沉积系统,包含2路工艺气体管路;
5) 1套预真空传片系统,用于在不暴露反应腔于大气环境中时基片的传送;
6) 3套加热源系统,用于脉冲蒸气压比较低的固态或液态前驱体,每套系统含源瓶;
7) 4套常温液态源系统,用于脉冲蒸气压比较高的液态前驱体,每套系统含源瓶;
8) 2套气体源系统,用于脉冲气态前驱体,适用于NH3和O3;
9) 1套臭氧发生器,用于生产臭氧气体;
10) 1套扩散增强器系统,用于在高比表面积衬底上沉积薄膜;
11) 1套N2或Ar载气和清洗管路,配置相应的阀路系统;
12) 1套气动升降台送片/取片;
13) 1套温度传感器监测和调节系统,用于设定并控制加热反应腔体;
14) 1套压力传感和调节系统,用于反应腔压力监控和调节;
15) 1套油式真空泵系统,包括泵和油雾消除器;
16) 1套PLC控制系统;
17) 1台用于控制操作和数据存储的PC机,及相应的操作系统软件;
18) 1套安全系统,包括非常停止开关(EMO)、安全互锁功能和安全排气必备组件等;
2.技术验收主要标准(不选请删除)
1. 热ALD,Al2O3工艺验收
1) 采用Al2O3工艺验证设备的基本操作
2) 沉积温度300 °C
3) TMA用作金属前驱体源
4) H2O用作非金属前驱体源
5) 三次沉积实验,每次500个循环
6) ★ALD循环周期时间: ≤2.2秒/循环
7) ★验收标准:6英寸硅片上Al2O3薄膜厚度不均匀性:1 % (1-sigma, 边缘10 mm 除外);击穿电压:7-9mV/cm;漏电流:<10-8mA/cm2(5mV);片内工艺颗粒数量:<20个(>0.3um)
2. 热ALD,TiN工艺验收
1) 有机前驱体材料:TiCl4+NH3;
2) 验收薄膜材料:TiN
3) ★验收薄膜厚度:20nm
4) ★片内薄膜厚度不均匀性:Std(标准差)/average(均值) x 100% < 3% (10 mm 边缘除外)。
5) ★薄膜电阻率:<250μΩ·cm
3. PEALD 工艺验收
1) 沉积温度200°C
2) 采用三甲基铝(TMA)作为金属源
3) 采用O2等离子体作为氧源
4) 三次沉积实验,每次500个循环
5) ★验收标准:6英寸硅片上Al2O3薄膜厚度不均匀性:2% (1-sigma, 边缘10 mm 除外)
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商务需求 |
备注:
1. “(一)免费保修期内售后服务要求”部分,请详细列明免费保修期内的售后服务要求,内容包括但不限于免费保修期限、售后服务人员配备、技术培训方案、质量保证、违约承诺、维修响应及故障解决时间、方案等。
2. “(二)免费保修期外售后服务要求”部分,请详细列明免费保修期外的售后服务要求,内容包括但不限于零配件的优惠率、维修响应及故障解决时间、方案、提供的服务等。
3. “(三)其他商务要求”部分,如有补充,请详细列明。 |
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技术规格偏离表 |
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商务规格偏离表 |
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评标信息 |
评标信息(设备类不含工程)
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其它 |
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附件 |